東芝 セミコンダクター社

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トランジスタ トピックス

トランジスタに関する過去2年分のトピックスを掲載しています。

パワーMOSFET MOSBDシリーズ: TPC8A07-H

これは、パワーMOSFET MOSBDシリーズ: TPC8A07-Hの製品写真です。

今回開発したTPC8A07-Hは、同期整流DC-DCコンバータのローサイドに使用されるMOSFETとSBDを同一チップに形成することで従来個別に接続していた外部SBDの省略、MOSFETとSBD間の配線インダクタンス削減によるデッドタイム期間中の損失低減とノイズ低減に貢献します。 (2010年03月05日)
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セミパワーPch MOSFET: SSM6J212FE

これは、セミパワーPch MOSFET: SSM6J212FEの製品写真です。

小型化要求の強い携帯機器向けに1616サイズ(SOT-563)のセミパワーMOSFET SSM6J212FEをリリースいたしました。 (2010年03月02日)
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2mm角LGAパッケージ(UDFN6) 小信号MOSFETリリース

これは、2mm角LGAパッケージ(UDFN6) 小信号MOSFETの製品写真です。

携帯電話/スマートフォンのスイッチ用として、2mm角LGAパッケージの小信号MOSFETを開発しました。 (2010年02月08日)
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汎用スイッチ用 Nch MOSFET: SSM3K37MFV, SSM6N37FE

これは、汎用スイッチ用 Nch MOSFET: SSM3K37MFV, SSM6N37FEの製品写真です。

携帯機器のスタンダードスイッチとして好評のSSM3K16FV、SSM6N16FEに代わる低RON品、1in1タイプのSSM3K37MFV、2in1タイプのSSM6N37FE をリリースしました。 (2010年01月21日)
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セミパワー Pch MOSFET: SSM3J325F

3mm角で汎用的なSOT-346パッケージ(2.9x2.5x1.1mm)に新規プロセスのPch低オン抵抗MOSFETをリリースしました。ノートブックPCのパワーマネジメントスイッチ用として最適です。 (2010年01月14日)
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ミューティング用 Nch MOSFET: SSM6N42FE

これは、ミューティング用 Nch MOSFET: SSM6N42FEの製品写真です。

今回新たに、従来品より低オン抵抗のMOSFETをリリースしました。従来の用途に加え、携帯電話のミューティング用にも使用可能となりました。 (2010年01月05日)
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最新世代Pチャネル低オン抵抗MOSFETシリーズ: TPC6110, TPC8124

ノートPC、携帯機器のパワーマネジメントスイッチ、リチウムイオン電池パック保護回路用として、高効率化・小型/薄型化を実現する最新世代プロセスを採用したPチャネル低オン抵抗MOSFETを開発致しました。 (2009年12月16日)
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最新世代Pチャネル低オン抵抗MOSFETシリーズ: TPCP8303, TPCC8103, TPC8123

ノートPC、携帯機器のパワーマネジメントスイッチ、リチウムイオン電池パック保護回路用として、高効率化・小型/薄型化を実現する最新世代プロセスを採用したPチャネル低オン抵抗MOSFETを開発致しました。 (2009年10月20日)
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小型・低オン抵抗 セミパワーPch-MOSFET: SSM3J46CTB

これは、小型・低オン抵抗 セミパワーPch-MOSFET: SSM3J46CTBの製品写真です。

携帯機器のシステム電源の低電圧化に対応したPch-MOSFET 1.5V駆動品を開発し、1208サイズの超小型パッケージ：CST3Bに搭載しました。 (2009年10月05日)
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セミパワー Pch MOSFET：SSM3J327F

これは、セミパワー Pch MOSFET：SSM3J327Fの製品写真です。

3mm角で汎用的なSOT-346(S-Mini)パッケージにPchの125mΩ max品@VGS=-2.5Vを搭載しました。ノートブックPCのパワーマネジメントスイッチ用として最適です。 (2009年09月18日)
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LCD-TVバックライトインバータ用最新世代パワーMOSFET 100Vシリーズ: TJ11A10M3, TK12A10K3, TK8A10K3

これは、LCD-TVバックライトインバータ用最新世代パワーMOSFET 100Vシリーズ: TJ11A10M3, TK12A10K3, TK8A10K3の製品写真です。

大型液晶テレビ用に検討されているDC60V電源に対応したインバータ用に、最新世代のプロセスを採用して100V耐圧のNch及びPch MOSFETを開発しました。 (2009年09月16日)
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バイポーラトランジスタ Audio出力段用: TTA1943, TTC5200

これは、バイポーラトランジスタ Audio出力段用: TTA1943, TTC5200の製品写真です。

AVアンプ、AVレシーバーやホームシアターのアンプ用に、出力段トランジスタを開発致しました。100Wクラスのオーディオアンプ出力段に最適です。 (2009年09月04日)
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リチウムイオン電池保護回路用Chip LGAシリーズ: TPCL4201, TPCL4202, TPCL4203

リチウムイオン2次電池保護回路用MOSFETとして、小型化・高密度実装を追い求めたチップサイズパッケージシリーズ(Chip Land Grid Array(Chip LGA))を開発しました。 (2009年08月28日)
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バイポーラトランジスタ 高耐圧スイッチング用：TTC003

これは、バイポーラトランジスタ 高耐圧スイッチング用：TTC003の製品写真です。

高耐圧スイッチング用途のパワートランジスタに、小型パッケージのNew PW-Mold2を追加しました。100V系自励式充電器(出力4Wクラス)に最適です。 (2009年08月21日)
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パワーMOSFET 小型大電力対応 新パッケージ：TSON Advanceシリーズ

モバイル機器の小型薄型化・大電力化のために新規パッケージ“TSON Advance”を開発しました。 (2009年08月20日)
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パワーMOSFET 低オン抵抗シリーズ：TPC6011, TPCC8008

従来のU-MOS III低オン抵抗シリーズと比べて約25%の低オン抵抗を実現したパワーMOSFET Nch U-MOS IVシリーズを開発しました。 (2009年08月19日)
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Nch MOS-FET 60V品：SSM3K7002BF, SSM3K7002BFU, SSM3K7002BFS, SSM6N7002BFU, SSM6N7002BFE

これは、Nch MOS-FET 60V品：SSM3K7002BF,SSM3K7002BFU,SSM3K7002BFS,SSM6N7002BFU,SSM6N7002BFEの製品写真です。

耐圧、電流、容量、スイッチング時間などは従来品と同レベルを維持し、オン抵抗を約20%低減したSSM3K7002Bシリーズが加わりました。 (2009年08月17日)
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バッテリーパック用複合素子: SSM5H14F

これは、バッテリーパック用複合素子: SSM5H14Fの製品写真です。

ヒューズをカットする際に動作するNch-MOSFETと動作時の逆電流を防止するSBDを一つのパッケージにまとめた複合素子です。回路設計時の実装面積低減、実装コスト削減に貢献できます。 (2009年07月24日)
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パワーMOSFET U-MOS V-H MOSBDシリーズ: TPC8A06-H, TPCA8A08-H

これは、パワーMOSFET U-MOS V-H MOSBDシリーズ: TPC8A06-H, TPCA8A08-Hの製品写真です。

同期整流DC/DCコンバータのローサイドに使用されるMOSFETとSBDをモノリシック構造で1チップ化 (MOSBD) し、従来独立で使用していたSBDの省略化と、MOSFET-SBD間の配線インダクタンスを低減する事ができ、デッドタイム期間中の損失改善に貢献します。 (2009年07月23日)
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同期整流DC/DCコンバータ用 最新世代パワーMOSFET U-MOS VI-H (V_DSS=30V) シリーズ

これは、同期整流DC/DCコンバータ用 最新世代パワーMOSFET U-MOS VI-H (VDSS = 30 V) シリーズの製品写真です。

ノートPC・サーバ・オンボード電源などの同期整流方式DC/DCコンバータの高効率化・小型/薄型化を実現する最新世代プロセスを採用したパワーMOSFETを開発しました。 (2009年07月23日)
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DC/DCコンバータ用100 V系トレンチ高速面実装パワーMOSFET車載対応シリーズ: TK40X10J1, TK50X15J1, TK50F15J1

DC/DCコンバータ用100 V系トレンチ高速面実装パワーMOSFET車載対応シリーズ: TK40X10J1, TK50X15J1, TK50F15J1の製品写真です。

DC/DCコンバータの1次側スイッチングやAC/DCコンバータの2次側同期整流回路の高効率化・小型/薄型化を実現すべく、Nchの最新世代プロセスを採用したMOSFETを開発しました。 (2009年07月03日)
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パワーMOSFET スーパージャンクション構造DTMOSシリーズ

これは、パワーMOSFET スーパージャンクション構造DTMOSシリーズの製品写真です。

MOSFETのドリフト層内に縦長のPピラー層とNピラー層を周期的に配置することにより、従来のSi限界を大きく下回る超低オン抵抗を実現しました。 (2009年07月02日)
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ソフトスイッチング用ディスクリートIGBT: GT60M324

これは、ソフトスイッチング用ディスクリートIGBT: GT60M324の製品写真です。

最新の第VI世代デザインを用いてAC100 V系入力の電圧共振タイプのソフトスイッチング用にGT60M324を開発しました。 (2009年06月24日)
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白色LEDバックライト駆動用Nch 60 V耐圧パワーMOSFET: SSM3K318T

これは、白色LEDバックライト駆動用Nch 60 V耐圧パワーMOSFET: SSM3K318Tの製品写真です。

バッテリー電圧から高電圧を昇圧するために最適な60 V耐圧の NchパワーMOSFETを開発しました。高速スイッチングと低オン抵抗を両立し、セットの高効率化、小型化に貢献します。 (2009年06月22日)
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ロードスイッチ用複合デバイス(Pch MOS + PNP Tr)：TPCP8G01

これは、ロードスイッチ用複合デバイス(Pch MOS + PNP Tr)：TPCP8G01の製品写真です。

携帯電話に代表される小型携帯機器の充電制御回路用として、Pチャネル低オン抵抗MOSFETとLow VCE(sat)タイプのPNPトランジスタをPS-8パッケージに2 in 1搭載しました。 (2009年05月25日)
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最新世代PchパワーMOSFET 低オン抵抗シリーズ

ノートPC、携帯機器のパワーマネジメントスイッチ、リチウムイオン電池パック保護回路用として、高効率化・小型/薄型化を実現する最新世代プロセスを採用したPチャネル低オン抵抗MOSFETを開発しました。 (2009年05月15日)
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Audio出力段用バイポーラトランジスタ：TTA0001,TTC0001,TTA0002,TTC0002

これは、Audio出力段用バイポーラトランジスタ：TTA0001,TTC0001,TTA0002,TTC0002の製品写真です。

AVアンプ、AVレシーバーやホームシアターのアンプ用に出力段トランジスタを開発しました。従来より電流定格をアップ(Ic=18A)し、より高出力のアンプに適します。 (2009年05月14日)
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汎用バイポーラトランジスタ：TPCP8510

これは、汎用バイポーラトランジスタの製品写真です。

Low VCE(sat)タイプの汎用トランジスタをPS-8(対向)フレームタイプのパッケージに搭載しました。 (2009年04月16日)
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同期整流DC/DCコンバータ用最新世代パワーMOSFET、液晶テレビバックライトインバータ用最新世代パワーMOSFET

これは、新世代パワーMOSFETの製品写真です。

高速スイッチングタイプの最新第Ⅵ世代低耐圧トレンチ構造デザインにより、高効率を実現するパワーMOSFETの新製品を開発しました。 (2009年04月16日)
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ソフトスイッチング用ディスクリートIGBT：GT40T302

これは、ソフトスイッチング用ディスクリートIGBT GT40T302の製品写真です。

GT40T302は従来のIGBTチップと、新しいプロセスを利用したダイオードにより実現されたソフトスイッチング用IGBTです。 (2009年03月12日)
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モータドライブ、CCFLインバータ用 最新世代パワーMOSFET Nch、Pchコンプリメンタリシリーズ：TPCF8402,TPCP8404,TPC8405,TPC8406-H

小型モータを駆動するパワードライブ回路用、CCFLインバータ用として、高効率化・小型/薄型化を実現すべく、Nch、Pchそれぞれに最新世代プロセスを採用したNch、PchコンプリメンタリタイプのMOSFETを開発しました。 (2009年03月11日)
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汎用バイポーラトランジスタ：TPC6504，TPC6604

これは、汎用バイポーラトランジスタ TPC6504，TPC6604の製品写真です。

Low VCE(sat)タイプのトランジスタをVS-6 (SOT6) パッケージに搭載しました。 (2009年03月05日)
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パワーMOSFET(New IV Nch) 低オン抵抗 新シリーズ

ノートPCなどの携帯機器の長時間動作を可能にする超低損失素子への要求に応え、従来のU-MOS III低オン抵抗シリーズと比べて約25%の低オン抵抗を実現したパワーMOSFET Nch U-MOS New IVシリーズを開発しました。 (2009年03月05日)
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オーディオドライバ用バイポーラトランジスタ：2SA2219,2SC6139,2SA2220,2SC6140

これは、オーディオドライバ用バイポーラトランジスタ、2SA2219,2SC6139,2SA2220,2SC6140の製品写真です。

AVアンプ、AVレシーバーやホームシアターの出力段トランジスタのドライバとして開発しました。 (2008年12月24日)
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パワーMOSFET U-MOS V-H MOSBDシリーズ：TPCM8A05-H,TPC8A05-H,TPC8A03-H,TPCA8A05-H,TPCA8A02-H

これは、パワーMOSFET U-MOS V-H MOSBDシリーズ、TPCM8A05-H,TPC8A05-H,TPC8A03-H,TPCA8A05-H,TPCA8A02-Hの製品写真です。

同期整流DC/DCコンバータのローサイドに使用されるMOSFETとSBDをモノシリック構造で1チップ化しました。 (2008年12月24日)
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同期整流DC/DCコンバータ用 最新世代パワーMOSFET U-MOS VI-H (VDSS=30V) シリーズ

これは、MOSFET U-MOS VI-H (VDSS=30V) シリーズの製品写真です。

ノートPC・サーバ・オンボード電源などの同期整流方式DC/DCコンバータの高効率化・小型/薄型化を実現する最新世代プロセスを採用したパワーMOSFETを開発しました。 (2008年12月24日)
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MOSゲートドライバ用バイポーラトランジスタ：HN4B102J, TPC6901A, TPC6902, TPCP8902

これは、MOSゲートドライバ用バイポーラトランジスタの製品写真です。

汎用トランジスタとしてご好評いただいておりますLow VCE(sat)タイプのトランジスタをPNP＋NPNで1パッケージ化しました。 (2008年12月24日)
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ロードスイッチ用 Pch MOSFET

これは、ロードスイッチ用Pch MOSFETの製品写真です。

2928/2021サイズの小型パッケージに業界トップクラスの低オン抵抗、低電圧動作を実現した高速スイッチングMOSFETを開発しました。 (2008年12月01日)
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パワーMOSFET U-MOS V-H MOSBDシリーズ：TPCA8A04-H, TPC8A04-H

これは、パワーMOSFET U-MOS V-H MOSBDシリーズ、TPCA8A04-H, TPC8A04-Hの製品写真です。

同期整流DC/DCコンバータのローサイドに使用されるMOSFETとSBDをモノリシック構造で1チップ化しました。 (2008年07月25日)
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スパイク電圧低減品 同期整流DC/DCコンバータ ハイサイド用パワーMOSFET：TPCA8031-H, TPC8038-H

これは、スパイク電圧低減品 同期整流DC/DCコンバータ ハイサイド用パワーMOSFET、TPCA8031-H, TPC8038-Hの製品写真です。

スイッチング特性を最適化したハイサイド用パワーMOSFETを開発しました。 (2008年07月23日)
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同期整流DC/DCコンバータ ハイサイド用パワーMOSFET：TPCA8030-H, TPC8037-H

これは、同期整流DC/DCコンバータ ハイサイド用パワーMOSFET、TPCA8030-H, TPC8037-Hの製品写真です。

ノートPC、サーバ、オンボード電源などの同期整流方式DC/DCコンバータの高効率化・小型/薄型化を実現するアルミストラップ構造を採用したハイサイド用パワーMOSFETを開発しました。 (2008年07月16日)
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1.5V駆動 小信号MOSFET(SMOS)：SSM3K36xx(Nch), SSM3J36xx(Pch)

これは、1.5V駆動小信号MOSFET(SMOS)、SSM3K36xx(Nch), SSM3J36xx(Pch)の製品写真です。

Pch/Nch1.5V駆動品を開発し、小型/薄型パッケージ、UFM/SSM/VESM/UF6/ES6に展開します。 (2008年07月03日)
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2021サイズSMOS+SBD混載：SSM5GxxTU/SSM5HxxTU

これは、2021サイズSMOS+SBD混載 SSM5GxxTU/SSM5HxxTUの製品写真です。

MOSFET + SBDを2021サイズの小型パッケージに収めた製品をラインアップしました。高効率で小型が要求される用途に最適です。 (2008年06月24日)
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高耐圧スイッチング用バイポーラパワートランジスタ：2SC6136/2SC6142

これは、高耐圧スイッチング用バイポーラパワートランジスタ、2SC6136、2SC6142の外観図です。

携帯電話や小型ゲーム機の充電器用途等に好評の高耐圧スイッチング用途のパワートランジスタに、100/200V共用自励式充電器などに最適なTO-92、NewPW-Moldの2タイプを追加しました。 (2008年05月21日)
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2021サイズセミパワーMOSFET(SMOS)：SSM6NxxTU、SSM6PxxTU、SSM6LxxTU

これは、2021サイズセミパワーMOSFET(SMOS) SSM6NxxTU、SSM6PxxTU、SSM6LxxTUの外観図です。

2021サイズの小型パッケージ(UF6)で業界トップクラスの低電圧動作、低オン抵抗、低容量を実現した高速スイッチングMOSFETを開発しました。 (2008年04月18日)
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1.2V駆動 小信号MOSFET(SMOS)：SSM3K35xx(Nch)、SSM3J35xx(Pch)

これは、1.2V駆動 小信号MOSFET(SMOS) SSM3K35xx(Nch)、SSM3J35xx(Pch)の外観図です。

東芝は業界トップクラスの低電圧動作を実現した1.2V駆動品を開発、小型/薄型パッケージ：CST3/VESM/SSM/ES6/US6に展開しました。 (2008年04月10日)
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Nch 1.5V駆動 小信号MOSFET(SMOS)：SSM3K36xx

これは、Nch 1.5V駆動小信号MOSFET(S-MOS)、SSM3K36xxの外観図です。

Nch 1.5V駆動品を開発し、小型/薄型パッケージ：UFM/ SSM/ VESM/ UF6/ ES6に展開しました。 (2008年03月14日)
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パワーMOSFET U-MOS V-H MOSBDシリーズ：TPCA8A02-H、TPC8A03-H

これは、パワーMOSFET U-MOS V-H MOSBDシリーズ TPCA8A02-H、TPC8A03-Hの製品写真です。

今回開発した新製品は、同期整流DC/DCコンバータのLow-Sideに使用されるMOSFETとSBDをモノシリック構造で1チップ化し、従来独立で使用していたSBDの省略化と、MOSFET-SBD間の配線インダクタンスを削減する事が出来、デッドタイム期間中の損失低減に貢献します。 (2008年03月07日)
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同期整流DC/DCコンバータ用 最新世代パワーMOSFET U-MOS VI-H1：TPCA8028-H

これは、同期整流DC/DCコンバータ用 最新世代パワーMOSFET U-MOS VI-H1 TPCA8028-Hの外観図です。

ノートPC・サーバ・オンボード電源などの同期整流方式DC/DCコンバータの高効率化・小型/薄型化を実現する最新世代プロセスを採用したパワーMOSFETを開発致しました。 (2008年03月06日)
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