汎用バイポーラトランジスタ：TPC6504，TPC6604

Low V_CE(sat)タイプのトランジスタをVS-6 (SOT6) パッケージに搭載しました。大電力のスイッチングを行うIGBTやPW-MOSFETなどMOSゲートデバイスの高速ゲートドライブ用途や小型モータドライバ用途に最適です。

これは、汎用バイポーラトランジスタ TPC6504，TPC6604の製品写真です。

特長

小型、薄型で実装面積が小さい。
直流電流増幅率が高い。
: TPC6504 h_FE = 400～1000 (I_C = 0.1A，V_CE=2V)
: TPC6604 h_FE = 200～500 (I_C = -0.1A，V_CE=-2V)
コレクタ･エミッタ間飽和電圧が低い。
: TPC6504 V_{CE (sat)} = 0.17 V (Max)(I_C = 0.3A，I_B=6mA)
: TPC6604 V_{CE (sat)} = -0.23 V (Max)(I_C = -0.3A，I_B=-10mA)
スイッチング時間が速い。
: TPC6504 t_f = 85 ns (Typ.) (I_C = 0.3A，I_B=±6mA)
: TPC6604　t_f = 70 ns (Typ.) (I_C = -0.3A，I_B=±10mA)
許容損失が大きい。
: P_C = 1.6W (t=10s) FR4 基板 (Cu 面積645 mm²、ガラスエポキシ、t = 1.6 mm) に実装時の許容損失 (過渡値) です。
: P_C = 0.8W (DC) FR4 基板 (Cu 面積645 mm²、ガラスエポキシ、t = 1.6 mm) に実装時の許容損失 (飽和値) です。

これは、汎用バイポーラトランジスタ PC6504，TPC6604の接続図 (TOP VIEW)です。

これは、汎用バイポーラトランジスタ TPC6504，TPC6604の応用回路例です。

汎用バイポーラトランジスタ製品ラインアップ
品番	極性	絶対最大定格			DC特性									スイッチング特性 Typ.
		絶対最大定格			h_FE(1)			h_FE(2)			V_CE(sat)			t_r	t_stg	t_f
		V_CBO (V)	V_CEO (V)	I_C (A)	Min	V_CE (V)	I_C (mA)	Min	V_CE (V)	I_C (mA)	Max (V)	I_C (mA)	I_B (mA)	(ns)
TPC6501	NPN	20	10	2	400	2	200	200	2	600	0.12	600	12	60	215	25
TPC6502	NPN	100	50	3	400	2	300	200	2	1000	0.14	1000	20	40	500	120
TPC6503	NPN	40	20	1.5	400	2	150	200	2	500	0.12	500	10	43	295	45
TPC6504 ^*	NPN	100	50	1	400	2	100	200	2	300	0.17	300	6	35	680	85
TPC6601	PNP	-50	-50	-2	200	-2	-300	100	-2	-1000	-0.20	-1000	-33	60	250	90
TPC6602	PNP	-20	-10	-2	200	-2	-200	125	-2	-600	-0.19	-600	-20	50	115	25
TPC6603	PNP	-30	-20	-3	200	-2	-500	100	-2	-1600	-0.19	-1600	-53	70	150	40
TPC6604 ^*	PNP	-50	-50	-1	200	-2	-100	125	-2	-300	-0.23	-300	-10	60	280	70

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