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パワーMOSFET U-MOS V-H MOSBDシリーズ：TPCM8A05-H,TPC8A05-H,TPC8A03-H,TPCA8A05-H,TPCA8A02-H

各種情報通信機器・通信基地局などに搭載されるCPU及び映像処理用ICは低電圧・大電流化が進む一方で、このICを駆動するDC/DCコンバータには更なる高効率化・小型化が要求されます。今回開発した新製品は、同期整流DC/DCコンバータのローサイドに使用されるMOSFETとSBDをモノシリック構造で1チップ化し、従来独立で使用していたSBDの省略化と、MOSFET-SBD間の配線インダクタンスを削減する事ができ、デッドタイム期間中の損失低減に貢献します。

これは、パワーMOSFET U-MOS V-H MOSBDシリーズ、TPCM8A05-H,TPC8A05-H,TPC8A03-H,TPCA8A05-H,TPCA8A02-Hの製品写真です。

特長

コンパクト化
  • ローサイド用MOSFETとSBDを1パッケージに搭載
高効率
  • MOSFETはU-MOS V-Hプロセスを採用
  • MOSFETとSBDをモノシリック構造とし、寄生インダクタンスを削減しSBDを効果的に動作させる事が可能
    ⇒デッドタイム期間中の損失を改善

    これは、TPCM8A05-H,TPC8A05-H,TPC8A03-H,TPCA8A05-H,TPCA8A02-Hの、シミュレーションによるデッドタイム期間中の各電流波形の比較を表した図です。

ノイズ(スパイク電圧)抑止
  • リカバリ特性の改善により、ハイサイドFETのターンオン時にローサイドFETのD-S間に発生するスパイク電圧を低減
    ⇒スパイク電圧を約90％に低減
動作範囲
  • チャネル温度150°C保証
  • アバランシェ耐量保証

外形図・接続図

これは、TPCM8A05-H,TPC8A05-H,TPC8A03-H,TPCA8A05-H,TPCA8A02-Hの、外形図・接続図です。

TPCA8A04-H 効率比較

これは、TPCA8A04-Hの効率比較を表したグラフです。

軽負荷時：
V-HおよびVI-Hの同等製品に対して約1%の効率改善
重負荷時：
V-Hの同等製品に対して約2%の効率改善(⇒重負荷時の効率を重視する場合はVI-H品推奨)

ラインアップ

TPCM8A05-H,TPC8A05-H,TPC8A03-H,TPCA8A05-H,TPCA8A02-Hのラインアップ表
品番 絶対最大定格 RDS(ON)(mΩ)@VGS=4.5V Crss(pF) Ciss(pF) パッケージ
VDSS(V) ID(A) 標準 最大 標準 標準
TPCM8A05-H 30 20 12.3 17.2 55 1300 TSSOP Advance
TPC8A05-H 30 10 12.6 17.6 55 1300 SOP-8
TPC8A03-H 30 17 5.1 7.0 100 2640
TPC8A04-H 30 18 3.2 4.5 180 4400
TPCA8A05-H 30 20 12.3 17.2 55 1300 SOP Advance
TPCA8A02-H 30 34 4.8 6.7 100 2640
TPCA8A04-H 30 44 2.9 4.1 180 4400

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