東芝 セミコンダクター&ストレージ社
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ロードスイッチ用 Pch MOSFET

携帯電話ベースバンドICを代表とする携帯機器のシステム電源の低電圧化・省電力化に伴い、低電圧駆動かつ低オン抵抗のMOSFETの要求が高まっています。

当社ではこれらニーズにお応えするため、2928/2021サイズの小型パッケージに業界トップクラス*1の低オン抵抗、低電圧動作を実現した高速スイッチングMOSFETを開発しました。1.0~5.0Aの中電流スイッチ用として適しています。

  • *1:2008年10月当社調査による

これは、ロードスイッチ用Pch MOSFETの製品写真です。

特長

用途

携帯電話、デジタルカメラ、ポータブルオーディオなどの携帯機器に最適です。

外形図

これは、TSM, UF6, UFMの外形図です。

ラインアップ

SSM3J13T, SSM3J307T, SSM3J321Tのラインアップ表
極性 パッケージ 品番 VDSS
(V)
ID
(A)
RDS(ON)max(mΩ) 入力容量
(pF)
名称 サイズ VGS =
-1.5V
VGS =
-1.8V
VGS =
-2.5V
VGS =
-4.0V
Pch TSM 2928 SSM3J13T -12 -3 - - 95 70 890
SSM3J307T * -20 -5 83 56 40 31 *3 1170
SSM3J321T * -20 -5.2 137 88 62 46 *3 640
SSM6J51TU, SSM6J409TUのラインアップ表
極性 パッケージ 品番 VDSS
(V)
ID
(A)
RDS(ON)max(mΩ) 入力容量
(pF)
名称 サイズ VGS =
-1.5V
VGS =
-1.8V
VGS =
-2.5V
VGS =
-4.0V
Pch UF6 2021 SSM6J51TU -12 -4 150 85 54 - 1700
SSM6J409TU *, *2 -20 -6.7 72.3 46.3 30.2 22.1 *3 1100
SSM3J120TU, SSM3J130TU, SSM3J129TUのラインアップ表
極性 パッケージ 品番 VDSS
(V)
ID
(A)
RDS(ON)max(mΩ) 入力容量
(pF)
名称 サイズ VGS =
-1.5V
VGS =
-1.8V
VGS =
-2.5V
VGS =
-4.0V
Pch UFM 2021 SSM3J120TU -20 -4 140 78 49 38 1484
SSM3J130TU *, *2 -20 -4.4 55.4 40.3 30.9 25.6 *3 1750
SSM3J129TU * -20 -4.6 137 88 62 46 *3 640

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