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パワーMOSFET U-MOS V-H MOSBDシリーズ：TPCA8A04-H, TPC8A04-H

各種情報通信機器・通信基地局などに搭載されるCPU及び映像処理用ICは低電圧・大電流化が進む一方で、このICを駆動するDC/DCコンバータには更なる高効率化・小型化が要求されます。

今回開発した新製品は、同期整流DC/DCコンバータのローサイドに使用されるMOSFETとSBDをモノリシック構造で1チップ化し、従来独立で使用していたSBDの省略化と、MOSFET - SBD間の配線インダクタンスを削減することができ、デッドタイム期間中の損失低減に貢献します。

これは、パワーMOSFET U-MOS V-H MOSBDシリーズ、TPCA8A04-H, TPC8A04-Hの製品写真です。

特長

コンパクト化
  • ローサイド用MOSFETとSBDを1パッケージに搭載
高効率
  • MOSFETはU-MOS V-Hプロセスを採用
  • MOSFETとSBDをモノシリック構造とし、寄生インダクタンスを削減しSBDを効果的に動作させる事が可能
    →デッドタイム期間中の損失を改善

これは、シミュレーションによるデッドタイム期間中の各電流波形の比較図です。

ノイズ(スパイク電圧)抑止
  • リカバリ特性の改善により、ハイサイドFETのターンオン時にローサイドFETのD-S間に発生するスパイク電圧を低減
    →スパイク電圧を約90％に低減
動作範囲
  • チャネル温度150℃保証
  • アバランシェ耐量保証

外形図・接続図

これは、TPCA8A04-H, TPC8A04-Hの外形図と接続図です。

TPCA8A04-H 効率比較

これは、TPCA8A04-Hの効率比較を示したグラフです。

主要特性

TPCA8A04-H, TPC8A04-Hの主要特性表
品番 絶対最大定格 RDS(ON)(mΩ) @VGS = 4.5V Crss(pF) Ciss(pF) パッケージ
VDSS(V) ID(A) 標準 最大 標準 標準
TPCA8A04-H 30 42 2.9 4.1 180 4400 SOP Advance
TPC8A04-H 30 18 3.2 4.5 180 4400 SOP-8

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