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パワーMOSFET U-MOS V-H MOSBDシリーズ：TPCA8A02-H、TPC8A03-H

これは、パワーMOSFET U-MOS V-H MOSBDシリーズ TPCA8A02-H、TPC8A03-Hの製品写真です。

各種情報通信機器・通信基地局などに搭載されるCPU及び映像処理用ICは低電圧・大電流化が進む一方で、このICを駆動するDC/DCコンバータには更なる高効率化・小型化が要求されます。今回開発した新製品は、同期整流DC/DCコンバータのLow-Sideに使用されるMOSFETとSBDをモノシリック構造で1チップ化し、従来独立で使用していたSBDの省略化と、MOSFET-SBD間の配線インダクタンスを削減する事が出来、デッドタイム期間中の損失低減に貢献します。

特長

  1. コンパクト化
    • Low Side用MOSFETとSBDを1パッケージに搭載
  2. 動作範囲
    • チャネル温度150°C保証
    • アバランシェ耐量保証
  3. 高効率
    • MOSFETはU-MOS V-Hプロセスを採用
    • MOSFETとSBDをモノシリック構造とし、寄生インダクタンスを削減しSBDを効果的に動作させる事が可能
      →デッドタイム期間中の損失を改善

シミュレーションによるデッドタイム期間中の各電流波形の比較

SBD外付けの場合

これは、シミュレーションによるデッドタイム期間中の各電流波形の比較です(SBD外付けの場合)。

MOSBDの場合

これは、シミュレーションによるデッドタイム期間中の各電流波形の比較です(MOSBDの場合)。

外形図・接続図

これは、SOP-8の外形図と接続図です。

これは、SOP Advanceの外形図と接続図です。

効果 (効率特性比較)

これは、効率特性比較のグラフです。

ラインアップ

TPCA8A02-H、TPC8A03-Hのラインアップ
品番 絶対最大定格 RDS(ON) (mΩ)
@VGS= 4.5V		 Qg(nC) VDSF(V)
@VGS= 0V		 IDSS(μA)
@VDS= 30V		 パッケージ
VDSS(V) ID(A) 標準 最大 標準 最大 最大
TPCA8A02-H 30 34 4.8 6.7 19 -0.6 100 SOP Advance
TPC8A03-H 30 16 5.1 7.0 19 -0.6 100 SOP-8

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