IGBT
Insulated Gate Bipolar Transistorの略で 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを示します。入力部がMOS構造で出力部がバイポーラ構造のパワー用トランジスタです。高耐圧、大電流に適した半導体で、少ないドライブ電力で高電力を制御できます。応用例としてIH調理器などがあります。
- ディスクリートIGBT
-
特性別にお選びいただけます。
VCES(V) Ta=25°C 400 600 900～ ○ ○ ○ - ストロボフラッシュIGBT
Insulated Gate Bipolar Transistorの略で 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを示します。入力部がMOS構造で出力部がバイポーラ構造のパワー用トランジスタです。高耐圧、大電流に適した半導体で、少ないドライブ電力で高電力を制御できます。応用例としてIH調理器などがあります。
特性別にお選びいただけます。
| VCES(V) Ta=25°C | ||
|---|---|---|
| 400 | 600 | 900～ |
| ○ | ○ | ○ |