小信号トランジスタ・MOSFET(S-MOS) 複合素子
小信号トランジスタ・MOSFET(S-MOS) 複合素子の品番例
- 東芝複合デバイスを示す
- 内部接続により以下のとおり
- 1 ： 点対称
- 2 ： 平行配置
- 3 ： カスケード
- 4 ： エミッタ or ソース or ベース共通
- 7 ： 異種トランジスタ混載
- 搭載しているデバイスの種類により以下のとおり
- A ： PNP Tr×2
- B ： PNP+NPN Tr
- C ： NPN Tr×2
- D ： 一般SW Di
- E ： Tr+Di
- G ： 異種トランジスタ混載 (2項が7のとなるもののみ)
- J ： Pch MOSFET×2
- K ： Nch MOSFET×2
- L ： Pch+Nch MOSFET
- S ： SBD
- V ： 可変容量ダイオード
- 追番号(EIAJ登録番号)
- パッケージにより以下のとおり
- JE ： ESV
- JU ： USV
- J ： SMV
- FE ： ES6, ESV
- FU ： US6, USV
- F ： SM6
- FS ： fS6
