ゲート・ソース漏れ電流I_GSSが他社品に対し大きいのは何故ですか？

弊社Pw-MOSFETは、一般的にG-S間に静電破壊保護用にツェナｰダイオｰドZD(以下ZD)を挿入しています。よってZD挿入品はZDの漏れ電流となりますので、ZDの無い製品(絶縁膜のみの漏れ電流)に対し若干大きくなります。

ゲート・ソース漏れ電流IGSSが他社品に対し大きいのは何故ですか？