MOSFET 電気的項目について(1)
| 項目 | 記号 | 測定条件 | 最小 | 標準 | 最大 | 単位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1. ゲート漏れ電流 | IGSS | VGS = ±16 V, VDS = 0 V | — | — | ±10 | µA |
| 2. ドレインしゃ断電流 | IDSS | VDS = 30 V, VGS = 0 V | — | — | 10 | µA |
| 3. ドレイン・ソース間降伏電圧 | V(BR)DSS | ID = 10 mA, VGS = 0 V | 30 | — | — | V |
| V(BR)DSX | ID = 10 mA, VGS = -20 V | 15 | — | — | ||
| 4. ゲートしきい値電圧 | Vth | VDS = 10 V, ID = 1 mA | 1.1 | — | 2.3 | V |
| 5. ドレイン・ソース間オン抵抗 | RDS(ON) | VGS = 4.5 V, ID = 6.5 A | — | 8.4 | 12 | mΩ |
| VGS = 10 V, ID = 6.5 A | — | 5.9 | 8.0 | |||
| 6. 順方向伝達アドミタンス | |Yfs| | VDS = 10 V, ID = 6.5 A | 8 | 16 | — | S |
- 1. ゲート漏れ電流
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IGSSの測定
- 2. ドレインしゃ断電流
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IDSSの測定
- 3. ドレイン・ソース間降伏電圧
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V(BR)DSSの測定
V(BR)DSXの測定
- 4. ゲートしきい値電圧
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Vthの測定
規定のドレイン電流IDになるようにVGSを増加させ規定電流になった時点のVGSを測定する。
- 5. ドレイン・ソース間オン抵抗
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VDS(ON)の測定
規定のドレイン電流IDを定電流で印加し規定電圧までVGSを増加させ、ドレイン-ソ－ス間電圧を測定し、ドレイン電流IDで割り、オン抵抗を算出する 。
注)定電流電源のオープン電圧は必ずドレイン-ソ－ス間耐圧電圧以下になる様にしてください。順方向伝達アドミタンスの測定
規定のドレイン電流になる様にゲート-ソース間電圧VGSを増加させ規定のドレイン電流IDになる様に調整。その後VGSを微小変化させドレイン電流IDの微小変化率を見る。
