MOSFETとIGBTの使い分けは？
IGBTは構造上大電流動作に向いています。
IGBTの特長は次の通りです。
- MOSFET高入力インピーダンス特性を持ち、電圧で駆動できます。
- バイポーラトランジスタの伝導度変調特性を持ち、低飽和電圧で高耐圧、大電流領域での使用に適しています。
- キャリアの蓄積が少なく、高速スイッチング特性を持ち、大電力の制御に最適です。
使用電圧400V以上 電流10A以上のスイッチング領域で最良の性能を発揮します。モータドライブ回路など瞬時に大電流が流れる装置などに最適です。
