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バイポーラトランジスタ電気的項目について

以下説明にはNPN型トランジスタを例にしています。

電気的特性(Ta = 25℃)
項目	記号	測定条件	最小	標準	最大	単位
1. コレクタしゃ断電流	I_CBO	V_CB = 60 V, I_E = 0	—	—	0.1	µA
2. エミッタしゃ断電流	I_EBO	V_EB = 5 V, I_C = 0	—	—	0.1	µA
3. 直流電流増幅率	h_FE(1)(注)	V_CE = 6 V, I_C = 2mA	70	—	700
3. 直流電流増幅率	h_FE(2)	V_CE = 6 V, I_C = 150 mA	25	100	—
4. コレクタ・エミッタ間飽和電圧	V_CE(SAT)	I_C = 100 mA, I_B = 10 mA	—	0.1	0.25	V
5. ベース・エミッタ間飽和電圧	V_BE(SAT)	I_C = 100 mA, I_B = 10 mA	—	—	1.0	V
トランジション周波数	f_T	V_CE = 10 V, I_C = 1 mA	80	—	—	MHz
コレクタ出力容量	C_ob	V_CB = 10 V, I_E = 0, f = 1MHz	—	2.0	3.5	pF
ベース拡がり抵抗	r_bb'	V_CE = 10 V, I_E = -1mA, f = 30MHz	—	50	—	Ω
雑音指数	NF	V_CE = 6 V, I_C = 0.1 mA, f = 1 kHz, R_G = 10 kΩ	—	1	10	dB

注：h_FE(1)分類　O:70～140, Y:120～240, GR:200～400, BL:350～700

1. コレクタしゃ断電流

I_EBOの測定

IEBOの測定例を示した図です。

2. エミッタしゃ断電流

I_CBOの測定

ICBOの測定例を示した図です。

3. 直流電流増幅率

直流電流増幅率hFEの測定

直流電流増幅率hFEの測定例を示した図です。

規定のコレクタ電流になる様にベース・エミッタ間電圧V_BEを増加させ規定のコレクタ電流I_Cになる様に調整その時のベース電流I_Bを測定し、次式により直流電流増幅率hFEを算出する。
hFE=I_C/I_B

直流電流増幅率hFE特性例

直流電流増幅率hFEの特性例を示した図です。

4. コレクタ・エミッタ間飽和電圧

コレクタ・エミッタ間飽和電圧V_CE(sat)の測定

コレクタ・エミッタ間飽和電圧VCE(sat)の測定例を示した図です。

規定のコレクタ電流I_Cを定電流で印加しベース・エミッタ間V_BEを増加させ、規定のベース電流I_Bになる様に調整し、コレクタ-エミッタ間電圧を測定する。

(注)定電流電源のオープン電圧は必ずコレクタ-エミッタ間耐圧電圧以下になる様にしてください。

コレクタ･エミッタ間飽和電圧V_CE(sat)例

コレクタ･エミッタ間飽和電圧VCE(sat)の測定例を示した図です。

5. ベース・エミッタ間飽和電圧

ベース・エミッタ間飽和電圧V_BE(sat)の測定

ベース・エミッタ間飽和電圧VBE(sat)の測定例を示した図です。

規定のコレクタ電流I_Cを定電流で印加しベース・エミッタ間V_BEを増加させ、規定のベース電流I_Bになる様に調整し、ベース-エミッタ間電圧を測定する。

(注)定電流電源のオープン電圧は必ずコレクタ-エミッタ間耐圧電圧以下になる様にしてください。

ベｰス･エミッタ間飽和電圧V_BE(sat)例

ベｰス･エミッタ間飽和電圧VBE(sat)の特性例を示した図です。

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