高周波デバイス 製品紹介
東芝高周波デバイスは、小信号ダイオードから電力増幅用パワーアンプモジュールまで、幅広い製品をご用意しております。電子機器の小型化、高性能化に対応した面実装部品もラインアップが豊富です。
高周波MOSFET
東芝高周波用MOSFETは、ゲート端子(G)が2本のデュアルゲートタイプを製品化しています。ゲート1(G1)に高周波信号を入力し、他のゲート2(G2)には利得制御用電圧VG2を印加制御します。
高周波パワーMOSFET
VHFおよびUHFテレビジョン放送機の送信電力増幅用、800MHzの携帯電話送信電力増幅用に開発しています。高利得、高効率が特長です。
高周波パワーMOSFET製品一覧表
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高周波小信号FET
高周波バイポーラトランジスタ
- 高周波バイポーラ小信号トランジスタ
- 複合高周波バイポーラ小信号トランジスタ
- 異なる特性の2つのトランジスタを同一パッケージに搭載しています。
一つはVCO用、もう一つはバッファ用として用いることができます。 - SiGe HBT (Sillicon Germanium-Heterojunction Bipolar Transistor)
- バイポーラトランジスタのベースをSiGe化合物にすることで高周波特性を向上させています。
- 高周波バイポーラパワートランジスタ
- HF帯からVHF、UHF帯まで、ハイパワートランジスタを取り揃えています。高周波ハイパワーアンプやブースタ用に適しています。
高周波バイポーラトランジスタ製品一覧表
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高周波ダイオード
可変容量ダイオード
アノード、カソード間に印加する逆バイアス電圧の値により、容量値が可変なダイオードです。
VCD(Variable Capacitance Diode)やバリキャップ(VariCap)などども呼ばれます。
主に、電子同調用として高周波整合回路に使用します。
可変容量ダイオード製品一覧表
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高周波スイッチ用ダイオード
高周波信号のスイッチとして使用されます。TVチューナのUHF/VHFバンドの周波数帯域切り替えなどに最適です。
高周波スイッチ用ダイオード製品一覧表
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高周波用ショットキバリアダイオード
- ミキサ用ショットキバリアダイオード
- PN接合の代わりに、金属と半導体の接触による整流性を利用したダイオードで、多数キャリアで動作します。 順方向電圧が小さく、逆回復時間が短いことから、高周波信号のミキサ回路に適しています。
小信号MMIC(高周波セルパック)
アンプ、ミキサなど移動体通信に必要な回路を小型面実装パッケージに内蔵・集積した高周波ICです。外付け部品が少ないため、低消費電力化、小型化、設計の簡略化が可能です。
小信号MMIC(高周波セルパック)製品一覧表
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