高周波デバイス 製品紹介
東芝高周波デバイスは、小信号ダイオードから電力増幅用パワーアンプモジュールまで、幅広い製品をご用意しております。電子機器の小型化、高性能化に対応した面実装部品もラインアップが豊富です。
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高周波MOSFET
東芝高周波用MOSFETは、ゲート端子(G)が2本のデュアルゲートタイプを製品化しています。ゲート1(G1)に高周波信号を入力し、他のゲート2(G2)には利得制御用電圧VG2を印加制御します。
高周波小信号FET
- 高周波MOSFET
- 高周波接合形FET (Junction Field Effect Transistor)
- 接合型電界効果トランジスタと呼ばれています。主にAM/FM帯高周波増幅回路などに使用されています。
高周波パワーMOSFET
VHFおよびUHFテレビジョン放送機の送信電力増幅用、800MHzの携帯電話送信電力増幅用に開発しています。高利得、高効率が特長です。
高周波パワーMOSFET製品一覧表
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高周波バイポーラトランジスタ
- 高周波バイポーラ小信号トランジスタ
- 複合高周波バイポーラ小信号トランジスタ
- 異なる特性の2つのトランジスタを同一パッケージに搭載しています。
一つはVCO用、もう一つはバッファ用として用いることができます。 - SiGe HBT (Sillicon Germanium-Heterojunction Bipolar Transistor)
- バイポーラトランジスタのベースをSiGe化合物にすることで高周波特性を向上させています。
- 高周波バイポーラパワートランジスタ
- HF帯からVHF、UHF帯まで、ハイパワートランジスタを取り揃えています。高周波ハイパワーアンプやブースタ用に適しています。
高周波バイポーラトランジスタ製品一覧表
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高周波ダイオード
可変容量ダイオード
アノード、カソード間に印加する逆バイアス電圧の値により、容量値が可変なダイオードです。
VCD(Variable Capacitance Diode)やバリキャップ(VariCap)などども呼ばれます。
主に、電子同調用として高周波整合回路に使用します。
可変容量ダイオード製品一覧表
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高周波スイッチ用ダイオード
高周波信号のスイッチとして使用されます。TVチューナのUHF/VHFバンドの周波数帯域切り替えなどに最適です。
高周波スイッチ用ダイオード製品一覧表
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高周波用ショットキーバリアダイオード
- ミキサ用ショットキーバリアダイオード
- PN接合の代わりに、金属と半導体の接触による整流性を利用したダイオードで、多数キャリアで動作します。 順方向電圧が小さく、逆回復時間が短いことから、高周波信号のミキサ回路に適しています。
小信号MMIC(高周波セルパック)
アンプ、ミキサなど移動体通信に必要な回路を小型面実装パッケージに内蔵・集積した高周波ICです。外付け部品が少ないため、低消費電力化、小型化、設計の簡略化が可能です。
小信号MMIC(高周波セルパック)製品一覧表
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高周波パワーアンプIC
移動無線、業務用無線、アマチュア無線などに対応した豊富なラインアップを揃えています。