2011年7月1日付で東芝セミコンダクター社とストレージプロダクツ社は統合し、株式会社東芝セミコンダクター＆ストレージ社になりました。このページは、半導体製品の信頼性情報について説明しています。

半導体デバイスの信頼性

[2011年4月現在]

1975年代の3.0ミクロンデバイス (64 K DRAM) から1980年代の2.0ミクロンデバイス (256K DRAM)、1985年代の1.2ミクロンデバイス (1 M DRAM) を経て、サブミクロンデバイス (4 M/16 M/256 M DRAM) の時代に入り、さらに微細化が進んでいる今日では、ますます品質と信頼性の作り込みが重要であると考えています。
当社においては、このような時代のニーズに対応するため、目標品質と信頼性レベルを定め、

新規開発プロセスおよび設計ルールの信頼性検証
新規パッケージの信頼性検証
製品での信頼性検証を、製品の開発段階から品質・信頼性のゲートを設けるなどのステップを踏みながら行っています。

また定期的に量産製品の信頼性レベルをモニタし、設定された信頼性レベルに合致しているかを確かめています。これらの評価過程での故障は、故障解析を行い、各故障モードについて故障メカニズムを明らかにし、工程改善に努めています。
本章では、信頼性の考え方、信頼性に影響を与える因子、故障メカニズムについて説明します。

信頼性の考え方

半導性に影響を与える因子