ホーム > 製品情報 > 光半導体 > 製品紹介 > トピックス

高せん頭順阻止電圧フォトトライアックカプラ：TLP666L(S), TLP669L(S)

TLP666L(S)、TLP669L(S)は、せん頭順阻止電圧(V_DRM)を800Vに高めたゼロクロス・DIP 6pinパッケージのフォトトライアックカプラです。さらに、TLP669L(S)はインパルスノイズ耐量に優れています(V_N=1500V(標準))。
従来のDIP 4pin、DIP 6pinタイプのフォトトライアックカプラとともに、事務機器、家庭内機器、トライアックドライバ、ソリッドステートリレーに幅広くご利用いただけます。

これは、高せん頭順阻止電圧フォトトライアックカプラTLP666L(S)、TLP669L(S)の外観図です。

特長

高せん頭順阻止電圧：V_DRM=800 V (最小)
ゼロクロスタイプ
インパルスノイズ耐量(TLP669L)：V_N=1500 V (標準)
実効オン電流：I_T=0.1 Arms (最大)
トリガLED電流：I_FT=10 mA (最大)
高絶縁耐圧：BVs=5000 Vrms (最小)
動作温度：Topr=-40 °C～100°C
DIP 6pinパッケージ

用途

事務機器
家庭内機器
トライアックドライバ
ソリッドステートリレー

外形図･接続図

これは、高せん頭順阻止電圧フォトトライアックカプラTLP666L(S)、TLP669L(S)の外形図、接続図です。

推奨動作条件 / 主要特性

TLP666L(S)、TLP669L(S)の推奨動作条件
	最小	標準	最大
使用電圧 V_AC	-	-	240 Vac
順電流 I_F	15 mA	20 mA	25 mA
パルスオン電流 I_TP	-	-	1 A
動作温度 Topr	-25 °C	-	85 °C

推奨動作条件は期待される性能を得るための設計指標です。
また、各項目はそれぞれ独立した指標となっておりますので、設計の際は技術資料をご参照の上、電気的特性などで規定された値も合わせてご確認願います。

TLP666L(S)、TLP669L(S)の主要特性 (Ta=25℃)
品番		TLP666L(S)	TLP669L(S)
せん頭順阻止電圧 V_DRM (最小)		800 V
実効オン電流 I_T (最大)		0.1 Arms
高絶縁耐圧 BVs (最小)		5000 Vrms
インパルスノイズ耐量 V_N (標準)		-	1500 V
トリガLED電流 I_FT	ランク	-	-	IFT5
トリガLED電流 I_FT	最大	10 mA	10 mA	5 mA

ご検討の方に

本製品に関するご質問は、下記よりお問い合わせください。

技術的なご質問

お問い合わせ

ご購入、サンプル、信頼性に関するお問い合わせ

このページの先頭へ戻る

このページの先頭へ戻る