32nmプロセスを用いた32ギガビットのNAND型フラッシュメモリ
最先端プロセスを用いて1チップで世界最大容量品を製品化
最先端32nm注1プロセスを用い、１チップで世界最大注2の32ギガビット（4ギガバイト）の大容量を実現するNAND型フラッシュメモリを製品化し、サンプル出荷を始めました。出荷当初はメモリカードやUSBの生産に寄与させ、順次、組み込み用途製品等への展開を進めていきます。また、16ギガビット（2ギガバイト）品も7月から同様にサンプル出荷を開始する予定です。32nmのデザインルールを適用したNAND型フラッシュメモリ製品を出荷するのは世界初注2となります。
当社は、現在43nmプロセスを適用した32ギガビットのNAND型フラッシュメモリを供給しており、同チップを8段積層しパッケージに封入した32ギガバイトの製品で、市場の大容量化ニーズに応えてきました。今回出荷を開始した32nmプロセスを適用した32ギガビット品は、最先端の微細化技術を駆使し、チップサイズを小さくすることで、生産効率を向上するだけでなく、小型パッケージでの大容量製品ラインアップを充実させることを可能とします。
近年、携帯電話などの携帯機器で高画質動画を保存するニーズが増加しており、NAND型フラッシュメモリを中心とする記録媒体の更なる大容量化、小型化が求められています。当社は、他社に先駆けて32nmプロセスを適用したNAND型フラッシュメモリの製品化を開始し、43nm製品からの切り替えを推進することで、市場の要求に応え、NAND型フラッシュメモリ市場の拡大を牽引していくとともに、市場におけるリーダーシップを堅持していきます。
なお、32ギガビット品については、当初計画から2ヶ月前倒しを行い、2009年7月から四日市工場での量産を開始します。また、16ギガビット品は2009年度第3四半期（10～12月）から量産を開始する予定です。
今後も当社は、メモリ事業の微細化・多値化の新技術開発を継続するとともに、生産効率改善を進めることにより、競争力強化に向けた施策を積極的に推進していきます。
- 注1：nm：ナノメートル。10-9m
- 注2：当社調べ（2009年4月現在）
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