SDメモリカード用レベルシフタ: T3GF3WBG
携帯電話には音楽、画像などのデータを保存するため、外付けのメモリカードを使用するものが大半となっています。ところが、携帯電話で使用されるCPUは高性能/低消費電力化にともなって低電圧化が進んでいるため、SDメモリカードとの間に電圧変換の需要が大きくなってきています。また、携帯電話本体の小型化も進んでおり、搭載部品の一層の小型化/集約化が求められています。このような背景を受け､信号のレベル変換機能に加え、周辺部品であるESD保護素子, EMIフィルタ, LDOを取り込み、WCSPを採用して超小型化を実現したレベル変換IC、「T3GE9WBG」を製品化していますが、今回新たに上位のSD通信規格に対応した「T3GF3WBG」を開発しました。
T3GF3WBGはSDメモリカード規格Ver.3.0の高速インタフェース規格SDR12、SDR25、DDR50に対応したレベルシフタです。従来のSDインタフェース、信号電圧3.3VのDSモードおよびHSモードにも対応しているため、SDメモリカード規格Ver2.0に準拠した従来のSDカードとも互換性があります。パッケージには超小型のWCSP25を採用し、実装面積削減の面でも貢献します。
特長
- SD メモリカード規格Ver3.0(SDR12、SDR25、DDR50)に対応。
- CPU(1.8V)側とSD メモリカード(2.9V/1.8V)側との双方向レベル変換が可能。
- CPU 側へのフィードバッククロック端子を備えることにより、本IC による遅延を補償。
- ESD 規格(IEC61000-4-2 Level4(接触放電): ±8kV)対応。 (SD メモリカード側端子)
- EMI フィルタおよびプルアップ/プルダウン抵抗内蔵。 (SD メモリカード側端子)
- 小型パッケージ採用による実装面積の縮小が可能: WCSP25(0.4mmピッチ)
用途
- SD カード向けの信号レベル変換。
主に携帯電話、DSC、DVC などの小型デバイス。
外形図
ピン配置図(Top View)
応用回路例
主要特性
| 項目 | 記号 | 定格 | 単位 | |
|---|---|---|---|---|
| 電源電圧 | VCCA | 1.65 to 1.95 | V | |
| VBatt | 3.1 to 5.0 | V | ||
| 入力電圧 | DIR, Clk.h | VIN | 0 to VCCA | V |
| Enable, SEL | 0 to 5.0 | |||
| 入/出力電圧 | VI/OA | 0 to VCCA ("H"または"L"状態) | V | |
| VI/OB | 0 to VCCB ("H"または"L"状態) | |||
| 出力電流 | IOUTA | ±6 (VCCA=1.65～1.95V) | mA | |
| IOUTB | ±6 (VCCB=2.8～3.0V) | |||
| 動作温度 | Topr | -30 to 85 | °C | |
| 伝搬遅延時間 | tpd | tpd=5.0ns(max) (VCCA=1.8±0.15V, VCCB=2.9±0.1V) tpd=7.0ns(max) (VCCA=1.8±0.15V, VCCB=1.8±0.1V) |
ns | |
