ショットキーバリアダイオード：低VF/低IR タイプ

V_F-I_Rトレードオフ改善タイプ: ショットキーバリアダイオードにおいては、低I_Rかつ低V_Fの素子が望まれますが、順電圧と逆電流がトレードオフの関係にあることから両立が困難でした。
今回、トレードオフ改善構造を導入した製品を開発しました。同じ順電圧の場合、従来タイプに比べリーク電流が約1/3となります。(当社比)
携帯電話やデジタルカメラ等バッテリー駆動機器の省電力化が必要な機器に最適です。

これは、ショットキーバリアダイオード低VF / 低IR タイプの性能比較グラフです。

特長

低順電流且つ低リーク
小型パッケージです
: USC (2.5 × 1.25 × 0.9mm, 2pin), CST2B (1.2 × 0.8 × 0.38mm, 2pin), CST2C(1.6 × 0.8 × 0.48mm, 2pin)

これは、ショットキーバリアダイオード低VF / 低IR タイプの外形図です。

これは、ショットキーバリアダイオード低VF / 低IR タイプの接続図です。

これは、ショットキーバリアダイオード低VF / 低IR タイプの応用回路例です。

ショットキーバリアダイオード低VF / 低IR タイプの主要特性一覧表
	品番	Package	絶対最大定格		電気的特性
			V_R(V)	I_O(A)	V_F(V)		I_R(µA)		C_T(pF)
			V_R(V)	I_O(A)	max	@I_F(A)	max	@V_R(V)	typ.	@V_R(V)
低V_F タイプ	DSF05S30U	USC	30	0.5	0.45	0.5	50	30	120	0
	DSF05S30CTB	CST2B	30	0.5	0.45	0.5	50	30	120	0
	DSF07S30U	USC	30	0.7	0.45	0.7	50	30	170	0
	DSF07S30CTC	CST2C	30	0.7	0.45	0.7	50	30	170	0
低I_R タイプ	DSR05S30U	USC	30	0.5	0.55	0.5	5	30	120	0
	DSR05S30CTB	CST2B	30	0.5	0.55	0.5	5	30	120	0
	DSR07S30U	USC	30	0.7	0.55	0.7	5	30	160	0
	DSR07S30CTC	CST2C	30	0.7	0.55	0.7	5	30	155	0

これは、ショットキーバリアダイオード低VF / 低IR タイプのIF-VF特性グラフです。

これは、ショットキーバリアダイオード低VF / 低IR タイプのIR-VR特性グラフです。

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