混載メモリ
- eDRAM
- eDRAM,(Embedded DRAM)は、DRAMの高転送レートおよび低消費電力の特長を生かして、グラフィックスコントローラ、ディスプレイコントローラなどの画像処理分野、HDDコントローラなどのストレージ分野、さらに通信・ネットワーク機器などのデジタルコミュニケーション分野など幅広い領域に及んでいます。
- SRAM & ROM
- SRAM (Static RAM)は、比較的アクセスタイムの遅い低消費電力SRAMと、アクセスタイムが速い高速SRAMがあります。低消費電力SRAMは携帯電話、携帯情報端末など主にバッテリーで駆動される機器に使用され、高速SRAMは、パソコンなどのキャッシュメモリやネットワーク関連機器に使用されています。また、高速・大容量データ転送が必要な通信機器向けには、高密度な高速SRAMが開発されています。 東芝は、さまざまなアプリケーションにロジックとの混載が可能な、各種SRAMやROMのIPを提供しています。
- EFUSE
- 東芝のEFUSEは電気的にプログラム可能なヒューズ素子を用いた不揮発性OTP(One Time Programmable)メモリIPです。標準CMOSロジックプロセスに搭載できるので、製造コストを増やすことなく、より高い信頼性を持つOTPメモリが実現できます。また制御レジスタを用いてヒューズを設定できるため、従来のレーザブローヒューズ(Laser Blow Fuse)の場合と異なり、ウェハー状態だけでなく、任意のテスト工程での書き込みができます。
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