ニュースリリース/トピックス
東芝 セミコンダクター社に関するニュースリリースやトピックスを掲載しています。
2005年以前のニュースリリースは、東芝ニュースリリースをご覧ください。
2010年
- 半導体情報誌“eye” 2010年2月号を掲載しました。 (2010年03月09日)
- 事業場情報をリニューアルしました。 (2010年03月08日)
- 地上デジタル放送受信機用(OFDM)復調訂正IC製品の情報を更新しました。 (2010年03月04日)
- LEDドライバ製品の情報を更新しました。 (2010年02月25日)
- 光リソグラフィの限界性能を引き出すマスクパターン最適化技術を開発 (2010年02月15日)
- 携帯電話向けフルHD対応アプリケーションプロセッサのプラットフォームを開発 (2010年02月12日)
- 中国における半導体後工程合弁事業会社の概要について (2010年02月10日)
- 低電圧LSIを実現するSRAM回路技術の開発について (2010年02月08日)
- 半導体メモリ後工程部門の開発力強化について (2010年02月03日)
- MPD(Mobile Peripheral Devices)製品の情報を更新しました。 (2010年02月02日)
- 半導体情報誌“eye” 2010年1月号を掲載しました。 (2010年01月27日)
- 浜岡東芝エレクトロニクスに関する一部報道について (2010年01月12日)
- 32nmプロセスの多値NANDを採用したSSDのラインアップ拡充について (2010年01月07日)
- EDN JAPAN 2010年1月号記事「画像処理プロセッサの基本を学ぶ」を掲載しました。 (2010年01月07日)
- 半導体情報誌“eye” 12月号を掲載しました。 (2010年01月05日)
2009年
- NANDメモリ事業概要 - IT社会の方向と我々の取り組み - メッセージ動画を掲載しました。 (2009年12月22日)
- 東芝半導体製品総覧表(2010年1月版)を掲載しました。 (2009年12月22日)
- SSDプロモーションメッセージを掲載しました。 (2009年12月15日)
- 業界最大 64ギガバイトの組込み式NAND型フラッシュメモリ新製品の発売について (2009年12月15日)
- 20nm世代LSI向け高性能CMOS素子技術の開発について (2009年12月09日)
- スピンMOSトランジスタの基本技術を開発 (2009年12月08日)
- 半導体情報誌“eye” 11月号を掲載しました。 (2009年11月30日)
- 中国における半導体後工程の合弁事業化について (2009年11月20日)
- マイコンに関する一部報道について (2009年11月11日)
- 半導体情報誌“eye” 10月号を掲載しました。 (2009年10月29日)
- 高周波デバイス製品のクロスリファレンス検索サービスを開始しました。 (2009年10月29日)
- 高感度BSI型のCMOSイメージセンサーを製品化 (2009年10月27日)
- 半導体後工程の合弁事業化について (2009年10月23日)
- トランジスタアレイ製品のクロスリファレンス検索サービスを開始しました。 (2009年10月08日)
- 東芝SSD特設サイトを公開しました。 (2009年09月30日)
- 半導体情報誌“eye” 9月号を掲載しました。 (2009年09月30日)
- 業界初の32nmプロセス多値NANDを採用したSSDの製品化について (2009年09月22日)
- システムLSI後工程事業の合弁事業について (2009年09月16日)
- CMOSロジックIC製品のクロスリファレンス検索サービスを開始しました。 (2009年09月14日)
- 半導体情報誌“eye” 8月号を掲載しました。 (2009年08月28日)
- SpursEngine™テクノロジーセミナーのご案内 (2009年08月21日)
9月16日(水)13時より、株式会社東芝 本社にてSpursEngine™ Solution のご提案を含め『SpursEngine™テクノロジーセミナー』を開催いたします。 - 静岡県を震源とする地震による生産設備の被害について (2009年08月17日)
- 世界初のSDXCメモリカードの発売について (2009年08月04日)
- 半導体情報誌“eye” 7月号を掲載しました。 (2009年08月03日)
- ダイオード製品のクロスリファレンス検索サービスを開始しました。 (2009年07月28日)
- MOSFET製品のクロスリファレンス検索サービスを開始しました。 (2009年07月09日)
- 半導体情報誌“eye” 6月号を掲載しました。 (2009年07月06日)
- 光半導体製品のクロスリファレンス検索サービスを開始しました。 (2009年06月23日)
- NECエレクトロニクスと東芝、IBMとの半導体技術開発に関する提携関係を拡大 (2009年06月18日)
- 16nm世代以降のLSIに適用可能なトランジスタ絶縁膜積層技術を開発 (2009年06月15日)
- 半導体情報誌“eye” 5月号を掲載しました。 (2009年06月03日)
- 東芝半導体製品総覧表(2009年7月版)を掲載しました。 (2009年06月03日)
- 「人とくるまのテクノロジー展2009」 展示パネル公開中！ (2009年05月22日)
- システムLSI後工程事業における協業体制の構築について (2009年04月28日)
- 半導体情報誌“eye” 4月号を掲載しました。 (2009年04月28日)
- 最先端プロセスを用いたNAND型フラッシュメモリのサンプル出荷開始について (2009年04月27日)
- 2009年度 第一四半期における半導体事業拠点の稼動調整実施予定について (2009年04月24日)
- TECHNO-FRONTIER 2009 展示パネル公開中！ (2009年04月15日)
- アプリケーション：モータソリューションの内容を改訂しました。 (2009年04月09日)
- 半導体情報誌“eye” 3月号を掲載しました。 (2009年04月03日)
- 多値技術を用いたNAND型フラッシュメモリの開発について (2009年02月11日)
- 世界最大容量、世界最速の不揮発性RAMの開発について (2009年02月09日)
- 信頼性情報とハンドブックを更新しました。 (2009年02月05日)
- 東芝半導体製品総覧表(2009年1月版)を掲載しました。 (2009年01月29日)
- データの高速処理を可能としたオーディオ制御マイコンについて (2009年01月07日)
2008年
- 32nm世代システムLSIのコスト削減を実現するプラットフォーム技術の開発について (2008年12月18日)
- 40nm世代システムLSI向け低消費電力プラットフォーム技術の開発について (2008年12月18日)
- 業界最大級の512ギガバイトSSDの製品化について (2008年12月18日)
- 高誘電率ゲート絶縁膜とメタルゲートを用いた世界最小の立体構造トランジスタSRAMセルを実現 (2008年12月17日)
- 四日市工場におけるNAND型フラッシュメモリの生産調整について (2008年12月16日)
- アプリケーション：モータソリューションの情報を追加しました。 (2008年12月05日)
- アプリケーション：オートモーティブの情報を全面改訂しました。 (2008年12月04日)
- メディアストリーミングプロセッサ：SpursEngine™の情報を追加しました。 (2008年11月27日)
- 『SpursEngine Start-up!』 - SpursEngine™のすべてがわかるイベントのお知らせ (2008年11月27日)
12月6日(土)12時30分より、カフェソラーレリナックスカフェ秋葉原店にてSpursEngineのすべてがわかるイベントを開催いたします。 - 12月6日(土)、秋葉原でSpursEngineのすべてがわかるイベントを開催！ (2008年11月27日)
- EDR規格準拠のBluetooth™ワンチップLSIの発売について (2008年11月27日)
- 大容量16GB microSDHCメモリカードなどの発売について (2008年11月26日)
- 2値技術を用いたNAND型フラッシュメモリの新製品について (2008年10月28日)
- NAND型フラッシュメモリの生産能力の強化について (2008年10月20日)
- ARM社Cortex™-M3コア搭載汎用マイコンの発売について (2008年09月29日)
- 多値NANDを採用した業界最大級の256ギガバイトSSDの製品化について (2008年09月26日)
- 世界最小のワンセグ受信用ワンチップLSIの製品化について (2008年09月17日)
- 業界最大32ギガバイトの組込み式NAND型フラッシュメモリなどの新製品発売について (2008年08月07日)
- 低コストで実現可能な量産向けMEMSパッケージング技術の開発 (2008年08月01日)
携帯電話などの無線システムをはじめ、様々な用途向けに開発が進められているMEMS(微細駆動装置)について、二種類のパッケージング技術を開発しました。 - 改良型のDSB基板を用いた高性能LSIの開発について (2008年06月20日)
- ゲート集積度を向上させる設計レイアウトモデルの開発について (2008年06月19日)
- 立体構造トランジスタを用いた32nm世代以降のLSI高性能化の新手法の開発について (2008年06月18日)
- 四日市工場200mmウェハ製造ラインの再構築について (2008年06月16日)
- 半導体製造ライン向けIPA除去装置の開発について (2008年06月04日)
- 低コストで実現可能な量産向けMEMSパッケージング技術の開発について (2008年05月30日)
- 半導体事業エンジニアリング会社の再編について (2008年04月02日)
- 車載向け高性能Bluetoothチップセットの発売について (2008年03月25日)
- 四日市工場への乾式排ガス処理装置の導入について (2008年03月04日)
- 高性能半導体の生産合弁会社の概要について (2008年02月20日)
- 半導体新製造棟の建設について (2008年02月19日)
- NAND型フラッシュメモリの生産拡大に向けた新製造棟の建設について (2008年02月19日)
- 43nmプロセスを用いたNAND型フラッシュメモリの開発について (2008年02月07日)
- 世界最高性能の高速物理乱数生成回路の開発について (2008年02月07日)
- 携帯電話向けRF-MEMS可変容量の開発について (2008年02月07日)
- 世界最高速の混載DRAM技術の開発について (2008年02月06日)
2007年
- 液晶および半導体分野における提携について (2007年12月21日)
- 東芝とＩＢＭによる半導体研究開発に関する提携関係の拡大について (2007年12月18日)
- ３２ｎｍ世代以降ＬＳＩ向け３種類の高性能化技術を開発 (2007年12月13日)
- 世界最小１０ｎｍ台フラッシュメモリ素子の要素技術を開発 (2007年12月12日)
- 多値ＮＡＮＤ対応、業界最大級１２８ギガバイトのＳＳＤを製品化 (2007年12月10日)
- サムスン電子とのＮＡＮＤ型フラッシュメモリ インターフェースに関する相互使用許諾について (2007年12月03日)
- 32ナノメートル世代のシステムLSIプロセス技術の共同開発について (2007年11月27日)
- ギガビット級の大容量化に向けた新型ＭＲＡＭ素子の開発について (2007年11月06日)
- 高性能半導体の生産力強化を目的とした新たな協業体制の構築に向け新合弁会社の設立で基本合意 (2007年10月18日)
- 加賀東芝エレクトロニクスでパワー半導体向け新製造棟の開所式を実施 (2007年10月15日)
- 携帯電話用CMOSカメラモジュール内製化によるCMOSイメージセンサ事業の強化について (2007年10月01日)
- 東芝グループをあげてピンクリボン啓発運動を展開 (2007年09月21日)
- 東芝四日市工場で世界最大級のNAND型フラッシュメモリ新製造棟を竣工 (2007年09月04日)
- 世界初の大容量３２ＧＢ ＳＤＨＣメモリカードなどの発売について (2007年08月22日)
- ＵＳＢフラッシュメモリ製品のラインアップ拡充について (2007年07月25日)
- 携帯３Ｄゲーム向け世界最高性能ＬＳＩを製品化 (2007年07月17日)
- 大容量４ＧＢのｍｉｃｒｏＳＤＨＣメモリカード発売について (2007年06月27日)
- 携帯電話向け大容量ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ新製品の発売について (2007年06月21日)
- ミリ波通信用ＣＭＯＳ回路技術の開発について (2007年06月15日)
- ３２ｎｍ世代ＬＳＩ向け高性能トランジスタの開発について (2007年06月13日)
- ３次元構造を採用したＮＡＮＤ型フラッシュメモリの新技術を開発 (2007年06月12日)
- 暗号鍵配信の安全性を実現するキー技術を開発 (2007年06月01日)
東芝欧州研究所は、量子暗号鍵配信 (QKD) の「無条件安全性」を実現する二つのキー技術を開発しました。今回の成果により、従来技術の抱える安全面の脆弱性が解決されます。 - 薬品を再利用できる環境配慮型のレジスト除去技術を開発 (2007年06月01日)
当社、芝浦メカトロニクス株式会社、クロリンエンジニアズ株式会社の3社は、それぞれ半導体先端プロセス技術、新プロセスに対応する装置システム技術、高純度薬品対応の高耐久性電解槽技術を持ち寄った共同開発により、電解硫酸を用いたレジスト除去の実用化技術を確立しました。電解硫酸方式の実用化は業界初となります。 - 携帯機器向け大容量組み込み型NAND型フラッシュメモリの製品化について (2007年04月17日)
- 最先端LSI向け不純物解析の新技術について (2007年04月16日)
- 弊社一部パワー半導体の保守廃止に関するご連絡 (2007年03月30日)
- 東芝と韓国・ハイニックス・セミコンダクター社間の特許クロスライセンス契約と製品供給契約の締結について (2007年03月20日)
- 高音質を実現したシリコンオーディオプレーヤー用ＬＳＩの発売について (2007年03月19日)
- R-CUBEプロジェクト (2007年03月13日)
R-CUBEプロジェクトは、(株)東芝にてセミコンダクター社を中心とした、大規模SoC事業の開発実行力を強化するためのプロジェクトです。 - 東芝が量子暗号鍵配信の安全性の欠陥を克服 (2007年02月20日)
- 薬品を再利用できる環境配慮型のレジスト除去技術について (2007年02月19日)
- 45nm世代の高性能システムLSI量産技術をNECエレクトロニクス、ソニーと共同開発 (2007年01月30日)
当社は、ソニー株式会社、NECエレクトロニクス株式会社と共同で、45nm（ナノメートル）世代の高性能システムLSI向け量産技術を開発しました。 - 56nmプロセスを用いたNAND型フラッシュメモリの新製品について (2007年01月24日)
- SDメモリカードシリーズのラインアップ拡充について (2007年01月05日)
2006年
- 45nm世代 高性能システムLSIの量産技術を開発 (2006年12月14日)
- キャパシタ不要のDRAM技術で32nm世代に目処 (2006年12月13日)
- 32nm世代向け高性能メタルゲート技術の開発について (2006年12月12日)
- 大容量８ＧＢのＳＤＨＣメモリカードの発売について (2006年11月20日)
- 小型化を実現したCMOSエリアイメージセンサ「Dynastron™」の商品化について (2006年09月26日)
- 米国マイクロン社との半導体特許契約締結及び争訟終結に関するお知らせ (2006年09月15日)
- ＵＳＢフラッシュメモリ製品のラインアップ拡充について (2006年08月29日)
- 東芝 セミコンダクター社ウェブサイトをリニューアルしました。 (2006年08月28日)
- 「超高速シリーズ」「高速シリーズ」ＳＤメモリカードの発売について (2006年08月24日)
- 東芝・四日市工場におけるＮＡＮＤ型フラッシュメモリ新製造棟の建設について (2006年08月04日)
- 論理アドレスアクセス方式を採用したNAND型フラッシュメモリソリューション製品の開発について (2006年08月02日)
- 職務発明譲渡対価請求訴訟の和解成立について (2006年07月27日)
- SDメモリカード新シリーズの発売について (2006年06月28日)
- ギガバイトクラスのNAND型フラッシュメモリを搭載した MCP（マルチ・チップ・パッケージ）メモリの発売について (2006年06月14日)
- 不揮発性磁気メモリ(MRAM)の基盤技術を確立 (2006年06月06日)
- 2GB miniSDメモリカードの発売について (2006年05月24日)
- 45nm世代のシステムLSIプロセス技術をNECエレクトロニクス、ソニーと共同開発 (2006年04月05日)
- IBM、ソニーと共同で、最先端半導体技術の研究開発連携をスタート (2006年03月06日)
- 第3世代携帯電話向け液晶コントローラLSIの新製品発売について (2006年02月13日)
- 世界最速・最大容量の16メガビットMRAMを開発 (2006年02月07日)
- 世界最速・最大容量の64メガビットFeRAMの開発について (2006年02月07日)
- ザイリンクスと65nm FPGAの共同開発で合意 (2006年02月03日)
- NECエレクトロニクスと45nmシステムLSIプロセス技術を共同開発 (2006年01月24日)