東芝のエコデバイス

小型 強化絶縁対応フォトリレー：TLP220シリーズ

高い入出力間絶縁耐圧(5000Vrms)を持ったフォトリレーを小型パッケージで実現しました。
耐圧は60V～600V、電流は0.1A～0.5Aまでと、幅広いラインアップを用意しています。
スマートメータ、ＦＡ、セキュリティ関連機器等、多くの用途にご使用いただけます。

実装面積の削減に貢献

従来品と同等の性能を、DIP4パッケージで実現しました。
従来品TLP797J(DIP6パッケージ)に比べ、約35%の実装面積低減が可能となります。

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ノートブックPC向けセミパワー　Pch MOSFET：SSM3J328R

ノートブックPC向けPch MOSFETにSSM3J328Rをリリース致しました。
低オン抵抗特性に優れたチップを、SOT-23クラスのパッケージに搭載致しました。

当社従来品と比べオン抵抗を大幅に低減し、省電力化に貢献

• 新製品：SSM3J328R @I_D=-1A,V_GS=-1.8Vの時のR_DS(ON)=38.8mΩ(typ)、電力ロス=38.8mW
• 当社従来品：SSM3J321T　@I_D=-1A,V_GS=-1.8Vの時のR_DS(ON)=63mΩ(typ)、電力ロス：63mW

銅ワイヤーを採用し環境負荷の低減に貢献

SSM3J328Rは、ボンディングワイヤーとして従来から使用されている金に替えて、銅ワイヤーを採用することで環境負荷の低減に貢献致します。

製品特性

品番	VDSS(V)	VGSS(V)	ID(A)	RDS(ON)標準値(mΩ)				パッケージ
				VGS=-1.5V	VGS=-1.8V	VGS=-2.5V	VGS=-4.5V
SSM3J328R (新製品)	-20	±8	-6.0	47.4	38.8	31.1	24.9	SOT-23F (2.4x2.9mm)
SSM3J321T (当社従来品)	-20	±8	-5.2	78	63	48	37	TSM (2.8x2.9mm)

小型低オン抵抗　Pch MOSFET：SSM3J56MFV

携帯機器向けにゲート電圧を1.2Vで駆動可能な新製品SSM3J56MFVをリリース致しました。
低オン抵抗特性に優れたチップを、小型VESMパッケージ(SOT-723/SC-105AA)に搭載致しました。

当社従来品と比べオン抵抗を大幅に低減し、省電力化に貢献

• 新製品：SSM3J56MFV @I_D=-100mA,V_GS=-1.5Vの時のR_DS(ON)=0.56Ω(typ)、電力ロス=5.6mW
• 当社従来品：SSM3J36MFV　@I_D=-100mA,V_GS=-1.5Vの時のR_DS(ON)=2.5Ω(typ)、電力ロス：25mW

銅ワイヤーを採用し　環境負荷の低減に貢献

SSM3J56MFVは、ボンディングワイヤーとして従来から使用されている金に替えて、 銅ワイヤーを採用することで環境負荷の低減に貢献致します。

製品特性

品番	VDSS(V)	VGSS(V)	ID(mA)	RDS(ON)標準値(Ω)				パッケージ
				VGS=-1.2V	VGS=-1.5V	VGS=-1.8V	VGS=-2.5V
SSM3J56MFV (新製品)	-20	±8	-800	0.77	0.56	0.47	0.38	VESM (SOT-723) (SC-105AA)
SSM3J36MFV (当社従来品)	-20	±8	-330	-	2.23	1.80	1.22 @ VGS=-2.8V

高温度動作対応 IGBT/MOSFET駆動用 ICカプラ

セットの小型化に貢献

• 電子機器セットや実装基板の小型化に伴い、発熱素子が近接しますので、使用半導体の環境温度が高くなる傾向があります。これに対応するフォトカプラとして、動作保証温度を当社従来品の100℃最大から125℃最大へ広げた商品ラインアップを拡充しています。

	当社従来品	新製品	当社従来品	新製品	新製品
	TLP351	TLP351H	TLP701	TLP701H	TLP2451A
パッケージ	DIP8		SDIP6		SO8
Topr	-40～100℃	-40～125℃	-40～100℃	-40～125℃	-40～125℃

低電圧駆動、低消費電流 高速ロジックICカプラ

機器の省電力化に貢献

• 新製品である TLP2366、TLP2160、TLP2466 は、20Mbpsの高速信号伝送用ICカプラです。
  従来品が電源電圧5Vを必要としたのに対し、3.3/5Vどちらでも動作できる為、低電圧での駆動が可能となります。
  また、消費電流も従来品に比べ約40%低減出来ますので、機器の省電力化に貢献します。

	当社従来品	新製品	当社従来品	新製品	新製品
	TLP116A	TLP2366	TLP2116	TLP2160	TLP2466
パッケージ	SO6 (1回路入り)		SO8 (2回路入り)		SO8 (1回路入り)
VCC（V)	4.5～5.5	2.7～5.5	4.5～5.5	2.7～5.5	2.7～5.5
ICC Max (mA)	5	3	10*	5*	3

リチウムイオン電池パックPCM用 低耐圧パワーMOSFET:TPCA8087/TPCC8073

消費電力や実装面積の削減に貢献

同一パッケージの当社従来品と比較した場合：消費電力の削減が可能です。

世代	品番	VDSS(V)	VGSS(V)	ID(A)	RDS(ON)(mΩ)
					VGS=10V		VGS=4.5V
					標準値	最大値	標準値	最大値
第4世代	TPCA8026	30	±20	45	1.8	2.2	2.7	4.5
第7世代	TPCA8087	30	±20	56	1.5	1.9	1.9	2.3
削減率	-	-	-	-	17%	14%	30%	49%

同一オン抵抗の当社従来品(3.5mΩクラス@V_DS=10V)と比較した場合：実装面積の削減が可能です。

世代	品番	VDSS(V)	ID(A)	PD(W)	パッケージ	実装面積(mm2)
第4世代	TPC8028	30	18	1.9	SOP-8	30
第7世代	TPCC8073	30	27	1.9	TSON Advance	10.9
削減率	-	-	-	-	-	64%

薄型・小型　デジタル出力磁気センサ ：TCS20シリーズ

実装面積の削減に貢献

携帯電話などの小型携帯機器用に、より薄く小型の磁気センサ：TCS20シリーズをラインアップしました。本製品は、当社従来品UFVパケージと比較して、実装面積を59%、厚さを46%削減しました。携帯機器の小型化・省資源化に貢献します。

シリーズ名	TCS10/11シリーズ	TCS20シリーズ
パッケージ名	UFVパッケージ	CST6Cパッケージ
パッケージサイズ	2.0 × 2.1 × 0.7 (mm)	1.15 × 1.50 × 0.38 (mm)
実装面積比率	100%	41%
厚さ比率	100%	54%

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銅ボンディングワイヤーを用いた Nch-MOSFET：SSM3K329R(SOT-23Fパッケージ)

ボンディングワイヤを金から銅に代え環境負荷を低減

本製品は、ノートPCなどに使われているバッテリーパックの異常検出時のヒューズカット用です。当社従来品では金のボンディングワイヤを使用していましたが、本製品では銅のボンディングワイヤを使用しております。銅は金に比べて少ないエネルギーで精錬できるため環境への負荷が低減されます。当社では銅のボンディングワイヤの使用を進めていきます。

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携帯機器向け急速充電用セミパワーPch MOSFET：SSM6J212FE

製品特性

品番	VDSS (V)	VGSS (V)	ID (A)	RDS(ON) typ(mΩ)			パッケージ
				VGS = -1.5V	VGS = -1.8V	VGS = -2.5V
SSM6J212FE	-20	±8	-4.0	56.7	48.6	41.3	ES6(SOT-563)
SSM6J53FE	-20	±8	-1.8	137	122	95

携帯機器のパワーマネジメントスイッチ向けセミパワー Pch MOSFET：SSM3J334R

製品特性

品番	VDSS (V)	VGSS (V)	ID (A)	RDS(ON) typ.(mΩ)			パッケージ
				|VGS| = -4.0V	|VGS| = -4.5V	|VGS| = -10V
SSM3J334R	-30	±20	-4.0	89	80	54	SOT-23F
SSM3J14T	-30	±20	-2.7	120	106	63	TSM

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方向制御不要2電源レベルシフタ：TC7LXシリーズ

実装面積の削減に貢献

• 超小型の方向制御不要2電源レベルシフタTC7LXシリーズを開発しました。本製品はWCSPパッケージを使用し、当社従来品より実装面積を73％削減しました。
• 外部から方向制御信号を入力する必要がないため、当社従来品と比べ信号線を削減できます。

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高光束白色LED：TL19W01シリーズ

照明機器の省電力化と小型化に貢献

各種照明用光源に使用できます。

• 発光効率：120 lm/W(@5000K)
  当社従来品と比較し、効率が約40%向上しています。
• パッケージサイズ：3.8(W)×3.1(L)×0.65(H)mm。
  当社従来品 TL12W03シリーズと比較し、実装面積を約75%削減できます。
  また、製品の厚みが0.65mm(当社従来品比 約70%削減)と、セットの薄型化に貢献します。

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	当社従来品	新製品
	TL12W03	TL19W01
外観及び外形図
発光効率	85 lm/W @IF=350mA	120 lm/W @IF=300mA

降圧型DC-DCコンバータIC：TCV7106FN

小型・高速 IGBT/MOSFET駆動用 ICカプラ：TLP155E

実装面積の削減に貢献

• 当社従来品と同等の性能を、小型パッケージ(SO6)で実現しました。
• 当社従来品TLP705(SDIP6パッケージ)に比べ、約40%の実装面積低減が可能となります。

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50V/1A汎用バイポーラトランジスタ

セットの小型化に貢献

• 耐圧50V、コレクタ電流1AのNPNトランジスタを従来PW-Miniパッケージから新規TSMパッケージへ搭載し、小型化・薄型化を実現いたしました。また、同時にコンプリメンタリのPNPトランジスタも商品化いたしました。

» TTA007の製品紹介
» TTC007の製品紹介

ショットキバリアダイオード(SBD)新シリーズ

機器の省電力化に貢献

• ショットキバリアダイオードの新シリーズとして、当社従来品よりV_FM-I_RRMのトレードオフを改善した耐圧30V品の製品をラインアップいたしました。
• 例えば、新製品(CRS10I30A)と当社従来品(CRS03)との比較では、
  当社従来品(CRS03):0.45V×0.7A=0.315W
  新製品(CRS10I30A):0.39V×0.7A=0.273W
  となり、電力損失が約13%改善されます。

			当社従来品			低VF/低IR新製品			特長 (従来品との差異)
パッケージ	絶対最大定格		品番	電気的特性		品番	電気的特性
	VRRM [V]	IF(AV) [A]		IRRM [mA]	VFM[V] @IFM		IRRM [mA]	VFM[V] @IFM
S-FLAT	30	1.0	CRS03	0.1	0.45/0.7A	CRS10I30A	0.06	0.39/0.7A	低VF
			CRS05	0.2	0.45/1.0A	CRS10I30B	0.06	0.42/1.0A	低VF
US-FLAT			CUS02	0.1	0.45/0.7A	CUS10I30A	0.06	0.39/0.7A	低VF
	30	1.5	-	-	-	CUS15I30A	0.06	0.46/1.5A	平均順電流 IF(AV)=1.5A

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インテリジェントパワーデバイス

セットの省エネ・小型化に貢献

• 小型のPS-8パッケージでPチャネルDMOS出力のインテリジェントパワーデバイス(ハイサイドスイッチ)を製品化しました。過電流・過熱状態からの保護とマイコンへフィードバックするための診断機能を有しており、セットの高信頼性に貢献します。

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ロジックICカプラ：TLP2118E

実装面積の削減に貢献

• ロジックICカプラ2個分をSO8パッケージに内蔵しました。
• 当社従来品TLP118(SO6パッケージ)2個を使用する場合に比べ、約40%の実装面積低減が可能となります。

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論理機能付き2電源レベルシフタ: TC7SP3xxWBGシリーズ

小型電源IC　CMOS-LDO　(LowDropOutRegulator)

DC-DCコンバータ用　低耐圧パワーMOSFET

DC-DCコンバータの電力損失を約30%低減

• 応用機器の電力損失の低減に貢献します。
• 従来方式のクリーンルームと比較し、製造プロセスにおけるCO₂排出量を削減しました。

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低消費電流フォトリレー TLP170シリーズ

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